Il percorso che ha portato Intel alla creazione di Haswell, tra i più importanti dei moderni microprocessori a risparmio energetico, sembra aver ispirato, oltre alla creazione di hardware sempre più performante, anche la ricerca di materiali del tutto inediti grazie ai quali poter costruire transistor a velocità ben superiori, fermo restando l’assorbimento energetico, che si attesta su valori minimi.
Lo studio in questione, condotto dalla Texas University di Austin, ha portato alla nascita dei primi transistor in silicene, un materiale che per certi aspetti condivide alcune proprietà chimiche con il più noto grafene, in cui anziché il classico carbonio è il silicio a fare da padrone nella sua struttura.
Le teorie e le ipotesi finora tratteggiate hanno quindi trovato un’applicazione finale, che fino a poco tempo fa si pensava implausibile per via dell’estrema volatilità del materiale.
Il problema si è poi dimostrato risolvibile sfruttando un metodo di costruzione in grado di ridurre al minimo l’impatto con l’aria del materiale utilizzato: si è ricorso alla condensa di un vapore costituito da atomi in silicio all’interno di un blocco in argento conservato in una camera a vuoto.
Il sottile foglio in silicene è stato quindi predisposto al di sopra di uno strato d’argento, e successivamente congiunto ad uno strato di dimensioni contenutissime (circa un nanometro) su una preparazione in allumina.
Ponendo poi il tutto su uno strato in silicio ossidato, e lasciando due soli elettrodi tra cui scorre una striscia in silicene, è stato ottenuto il prodotto finale. La procedura finora utilizzata è chiaramente frutto di uno sforzo teorico che ha trovato applicazione soltanto recentemente, dunque è volta a migliorarsi nel tempo futuro.
E’ chiaro, dunque, come le straordinarie qualità di conduttività di questo materiale siano pronte ad essere portate su chip di larga scala entro i prossimi anni, una volta affinato il processo creativo. L’unico neo rimane la possibile obsolescenza del materiale, che va incontro ad usura piuttosto facilmente. Al momento si pensa di poter sopperire alla difficoltà dotando lo strato in silicene di un’ulteriore “armatura” protettiva, in grado di proteggerlo dall’impatto con l’aria, fatto che lo renderebbe instabile.
La ricerca al transistor ed al microprocessore perfetto, quindi, prosegue più velocemente che mai: sarà quindi per Intel e compagni il caso di ingegnarsi e trovare una buona contromossa? Lo scopriremo seguendo i prossimi sviluppi dei processori e del suo ottimo hardware, cercando di intuire come si evolverà nei mesi a venire.
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